公司重金布局第三代半导体技术，2020年全年半导体业务研发投入达6.5亿元，显着加强了在中高压MOSFET、化合物半导体SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）产品、以及模拟类产品的研发投入，并将继续扩大产能和研发相关的设备投入。公司预计2021年半导体研发投入将达到8.9亿元。

安世半导体本次推出的全新功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的 RDS(on) 性能，适用于2 kW至10 kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关模式电源（SMPS）。该器件也非常适合相同功率范围内的太阳能逆变器和伺服驱动器。 对于本次推出的新产品，安世半导体GaN战略市场总监Dilder Chowdhury解释说，对于2 kW及更高功率的服务器电源应用，使用传统硅器件来实现这种性能水平，电路设计复杂而具有挑战性。安世半导体新的功率GaN FET非常适合简洁的无桥图腾柱PFC电路，使用更少的器件，并能减少尺寸和系统成本。 今年以来，闻泰科技在第三代半导体领域动作频繁。今年初，闻泰科技领投基本半导体的B轮融资。今年三月，闻泰科技旗下全资子公司安世半导体宣布与国内汽车行业龙头企业联合汽车电子有限公司（UAES）在功率半导体氮化镓（GaN）领域展开深度合作，以满足新能源汽车电源系统未来不断提升的技术需求，并共同致力于推动GaN工艺技术在中国汽车市场的研发和应用。 近年来，安世半导体发展迅猛。芯谋研究发布的数据显示，安世半导体在全球功率分立器件公司中的排名由2019年的第11位上升至2020年的第9位，继续稳居中国功率分立器件公司榜首。